Jaehoon Ji及其团队发表在Science Advances上的研究开发了一种将偶氮苯（Azo）化合物与过渡金属二硫属化物（TMD）单层半导体器件相结合的装置。Princeton University介绍的研究显示，可见光和UV光能够通过Azo化合物改变材料的载流子密度及电光特性。研究指出，这种作用可以改变n型和p型FET的行为。该研究为开发能够响应光等外部因素的可编程电路和传感器提供了概念验证。
为何重要
这种方法表明，半导体元件的功能不必局限于固定的制造特性，还可以通过外部施加的光进行调节。在同一种材料中同时影响n型和p型FET的行为，这一特点与利用光控制电路中不同功能的构想有关。载流子密度与电光特性之间的联系，为研究传感器如何将环境刺激转换为电子信号开辟了新的领域。不过，由于该研究属于概念验证，如何将这种作用应用于实际的电路和传感器架构，文中尚未明确。