Jaehoon Ji ve ekibinin Science Advances’ta yayımlanan çalışmasında, azobenzen (Azo) bileşiğiyle birleştirilen geçiş metali dikalkojenit (TMD) tek katmanlı bir yarı iletken cihaz geliştirildi. Princeton University’nin aktardığı araştırmada, görünür ve UV ışıkla Azo bileşiğinin malzemenin taşıyıcı yoğunluğunu ve elektriksel-optik özelliklerini değiştirdiği gösterildi. Bu etkinin n- ve p-tipi FET’lerin davranışını değiştirebildiği belirtildi. Çalışma, ışık gibi dış etkenlere tepki veren programlanabilir devre ve sensörlerin geliştirilmesine yönelik bir kavram kanıtı sunuyor.
Neden önemli
Bu yaklaşım, yarı iletken bir bileşenin işlevinin sabit üretim özellikleriyle sınırlı kalmayıp dışarıdan verilen ışıkla ayarlanabilmesine işaret ediyor. Aynı malzemede hem n- hem p-tipi FET davranışının etkilenebilmesi, devre tasarımında farklı işlevlerin ışıkla kontrol edilmesi fikrini ilgilendiriyor. Taşıyıcı yoğunluğu ile elektriksel-optik özellikler arasındaki bağlantı, sensörlerin çevresel uyarıyı elektronik sinyale dönüştürme biçimlerine yeni bir araştırma alanı açıyor. Ancak çalışma bir kavram kanıtı olduğundan, bu etkinin gerçek devre ve sensör mimarilerine nasıl uyarlanacağı metinde açıkta kalıyor.