Dans l’étude publiée par Jaehoon Ji et son équipe dans Science Advances, un dispositif semi-conducteur monocouche à base de dichalcogénure de métal de transition (TMD), associé au composé azobenzène (Azo), a été développé. Selon les recherches rapportées par Princeton University, la lumière visible et UV modifie, via le composé Azo, la densité de porteurs et les propriétés optoélectriques du matériau. Il est indiqué que cet effet peut modifier le comportement des FET de type n et de type p. L’étude présente une preuve de concept pour le développement de circuits et de capteurs programmables réagissant à des facteurs externes tels que la lumière.
Pourquoi est-ce important
Cette approche indique que la fonction d’un composant semi-conducteur ne se limite pas à des caractéristiques de fabrication fixes, mais peut être ajustée par une lumière appliquée de l’extérieur. Le fait que le comportement des FET de type n et de type p puisse être affecté dans un même matériau concerne l’idée de contrôler différentes fonctions dans la conception de circuits à l’aide de la lumière. Le lien entre la densité de porteurs et les propriétés optoélectriques ouvre un nouveau champ de recherche sur la manière dont les capteurs transforment un stimulus environnemental en signal électronique. Toutefois, l’étude étant une preuve de concept, le texte ne précise pas comment cet effet sera adapté à de véritables architectures de circuits et de capteurs.