Nello studio pubblicato su Science Advances da Jaehoon Ji e dal suo team, è stato sviluppato un dispositivo semiconduttore monostrato a base di dicalcogenuri di metalli di transizione (TMD) combinato con il composto azobenzene (Azo). Nella ricerca riportata da Princeton University, è stato mostrato che il composto Azo, con luce visibile e UV, modifica la densità dei portatori e le proprietà elettro-ottiche del materiale. È stato indicato che questo effetto può modificare il comportamento dei FET di tipo n e p. Lo studio offre una prova di concetto per lo sviluppo di circuiti e sensori programmabili che rispondono a fattori esterni come la luce.
Perché è importante
Questo approccio indica che la funzione di un componente semiconduttore non è limitata a caratteristiche di produzione fisse, ma può essere regolata mediante luce fornita dall’esterno. Il fatto che il comportamento dei FET sia di tipo n sia di tipo p possa essere influenzato nello stesso materiale riguarda l’idea di controllare con la luce diverse funzioni nella progettazione dei circuiti. Il legame tra la densità dei portatori e le proprietà elettro-ottiche apre un nuovo campo di ricerca sulle modalità con cui i sensori trasformano uno stimolo ambientale in un segnale elettronico. Tuttavia, poiché lo studio è una prova di concetto, nel testo non è chiarito come questo effetto sarà adattato a reali architetture di circuiti e sensori.