En el estudio de Jaehoon Ji y su equipo, publicado en Science Advances, se desarrolló un dispositivo semiconductor monocapa de dicalcogenuro de metal de transición (TMD) combinado con el compuesto azobenceno (Azo). La investigación, comunicada por Princeton University, demostró que la luz visible y UV modifican la densidad de portadores y las propiedades electroópticas del material mediante el compuesto Azo. Se indicó que este efecto puede alterar el comportamiento de los FET de tipo n y p. El estudio presenta una prueba de concepto para el desarrollo de circuitos y sensores programables que respondan a factores externos como la luz.
Por qué es importante
Este enfoque indica que la función de un componente semiconductor no tiene por qué limitarse a sus características de fabricación fijas, sino que puede ajustarse mediante la luz aplicada desde el exterior. La posibilidad de afectar el comportamiento de los FET de tipo n y p en un mismo material plantea la idea de controlar mediante la luz diferentes funciones en el diseño de circuitos. La conexión entre la densidad de portadores y las propiedades electroópticas abre un nuevo campo de investigación sobre cómo los sensores convierten los estímulos ambientales en señales electrónicas. Sin embargo, dado que el estudio es una prueba de concepto, el texto deja abierta la cuestión de cómo se adaptará este efecto a arquitecturas reales de circuitos y sensores.