Jaehoon Ji氏と研究チームは、Science Advancesに掲載された研究で、アゾベンゼン（Azo）化合物と結合させた遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）単層半導体デバイスを開発した。Princeton Universityが伝えたこの研究では、可視光およびUV光によって、Azo化合物が材料のキャリア密度と電気光学特性を変化させることが示された。この効果により、n型およびp型FETの挙動を変化させられる可能性があるという。今回の研究は、光などの外部要因に反応するプログラム可能な回路やセンサーの開発に向けた概念実証を示している。
なぜ重要か
このアプローチは、半導体部品の機能が固定された製造特性に限定されず、外部から照射する光によって調整できる可能性を示している。同じ材料でn型とp型の両方のFET挙動に影響を与えられることは、回路設計において異なる機能を光で制御するという考え方につながる。キャリア密度と電気光学特性の関係は、センサーが環境からの刺激を電子信号に変換する仕組みに新たな研究領域を開く。ただし、今回の研究は概念実証であるため、この効果を実際の回路やセンサーのアーキテクチャーにどのように適用するかは、本文では明らかにされていない。