No estudo de Jaehoon Ji e sua equipe, publicado na Science Advances, foi desenvolvido um dispositivo semicondutor de monocamada de dicalcogeneto de metal de transição (TMD) combinado com o composto azobenzeno (Azo). A pesquisa, divulgada pela Princeton University, mostrou que a luz visível e UV alteram a densidade de portadores e as propriedades eletro-ópticas do material por meio do composto Azo. Foi indicado que esse efeito pode modificar o comportamento de FETs do tipo n e p. O estudo apresenta uma prova de conceito para o desenvolvimento de circuitos e sensores programáveis que respondem a fatores externos, como a luz.
Por que é importante
Essa abordagem indica que a função de um componente semicondutor não precisa ficar limitada às suas características fixas de fabricação, podendo ser ajustada externamente por meio da luz aplicada. A possibilidade de afetar o comportamento de FETs dos tipos n e p no mesmo material é relevante para a ideia de controlar diferentes funções no projeto de circuitos por meio da luz. A relação entre a densidade de portadores e as propriedades eletro-ópticas abre uma nova área de pesquisa sobre como os sensores convertem estímulos ambientais em sinais eletrônicos. No entanto, como o estudo é uma prova de conceito, o texto não esclarece como esse efeito será adaptado a arquiteturas reais de circuitos e sensores.