领先的芯片制造商正在采用只有 ASML 能够提供的高数值孔径（high NA）EUV 光刻技术，每台设备的成本可能高达 400百万美元。该技术有望生产更强大、更高效的芯片，其电路特征尺寸更小，可用于人工智能数据中心以及智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
ASML 的 EUV 设备利用激光将电路图案逐层刻蚀到硅片上。与传统的深紫外技术相比，该系统使用波长更短、功率更高的光，将熔融锡转化为温度约 200,000°C 的等离子体；镜面收集光线，并将其引导至一台与公交车大小相当的设备中。新型 high NA EUV 设备采用了更大的镜面和改进的光学系统。
Samsung 计划于 2028 年开始利用 high NA EUV 生产存储芯片。TSMC 的目标是从 2030 年起，为 AMD、Apple、Nvidia 和 Qualcomm 等客户生产最先进的芯片。Intel 则已于 2026 年 7 月在 Panther Lake 处理器的高产量生产中开始使用该技术。
Samsung 和 TSMC 正与 Intel 及 ASML 一同努力，将光掩模标准从 6 英寸提升至 12 英寸。ASML CTO Marco Pieters 表示，这一变更可能将生产率提高 40%。SK Hynix 也在评估加入该联盟，并将 2028 年作为目标。
在人工智能数据中心投资引发存储芯片短缺和价格上涨之际，这项技术在美中竞争中也具有重要意义。大多数设备对华出口受到限制；Zeiss Group 预计，中国开发 EUV 技术可能需要 15 年。
为何重要
High NA EUV 纳入生产议程表明，芯片的进步不仅取决于设计能力，也取决于极其昂贵且复杂的生产基础设施。在人工智能数据中心的存储芯片需求和价格压力持续之际，这一情况使制造商在同一技术标准下寻求扩大产能和提高效率。12英寸光掩模的研发意味着，不仅设备本身，生产流程中的辅助组件也需要重新调整；40%的效率提升主张构成了这场转型的经济依据。然而，随着各家公司投入生产的时间表存在差异，出口限制以及中国发展自身 EUV 产能所需的时间，使该技术的全球可及性和芯片竞争的边界仍存在不确定性。