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Goldman Sachs: El suministro de chips avanzados de China aumentará rápidamente hasta 2035

Actualizado: 24/08/2026 · 4 min de lectura · 616 palabras

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Goldman Sachs: El suministro de chips avanzados de China aumentará rápidamente hasta 2035
Oblea de silicio para semiconductores

La capacidad de las fundiciones nacionales crece rápidamente

En el último análisis del banco de inversión estadounidense Goldman Sachs, se señaló que China pretende reducir en gran medida su déficit de suministro en el mercado de semiconductores avanzados durante los próximos 10 años. A medida que las fundiciones nacionales aumenten rápidamente su producción, se prevé que el suministro de obleas de silicio (wafer) fabricadas mediante procesos avanzados de 7 nanómetros o menos crezca un 46 % anual compuesto entre 2025 y 2035. Se estima que el aumento previsto de la demanda local, del 17 % para el mismo periodo, quedará claramente por detrás del crecimiento de la oferta.

Se calcula que esta aceleración prevista de la producción reducirá el déficit de suministro de chips avanzados en el mercado interno de China. Se espera que la brecha entre la oferta y la demanda nacionales, que era del 92 % en 2025, descienda hasta el 34 % para 2035. Los datos del banco muestran que el suministro de obleas de silicio para nodos avanzados de China alcanzará las 410.000 unidades mensuales, mientras que la demanda mensual total del país se situará en 619.000 unidades.

SMIC acelera las inversiones en capacidad

El principal origen del sólido aumento previsto de la oferta serán los agresivos trabajos de ampliación de instalaciones y las mejoras de eficiencia de SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corp), el mayor fabricante de fundiciones de China. Con el objetivo de satisfacer la creciente demanda de equipos de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento, la empresa continúa sin interrupción con sus inversiones en fundiciones. SMIC se había centrado en aumentar la capacidad de sus instalaciones debido a la demanda de chips de inteligencia artificial en el sector, ampliar el volumen de producción y prolongar los plazos de entrega de los pedidos.

Según el modelo de proyección de Goldman Sachs, se estima que SMIC añadirá cada año entre 30.000 y 50.000 nuevas obleas de silicio mensuales a su capacidad de nodos avanzados entre 2026 y 2031. Después de 2031, se espera que añada otras 20.000 unidades anuales a la capacidad mensual hasta 2035. El modelo también asume que la tasa de rendimiento (yield) de SMIC, del 23% en 2026, aumentará al 50% en 2030 y al 75% en 2035.

A modo de comparación, TSMC, la mayor fundición del mundo, comenzó la producción en serie de chips de 7 nanómetros en 2018 y puede alcanzar una tasa de rendimiento superior al 90%, dependiendo del diseño del chip.

La escasez de equipos de litografía supone un obstáculo para la independencia total

A pesar de este gran aumento del volumen de producción nacional, las restricciones al acceso a los equipos de litografía siguen siendo el principal obstáculo para que China logre una independencia total en el sector de los semiconductores. Al no poder acceder a las máquinas de litografía ultravioleta extrema (EUV) debido a los controles de exportación impuestos por Estados Unidos y sus aliados, los fabricantes chinos aprovechan al máximo la capacidad de los equipos de ultravioleta profundo (DUV) mediante técnicas de multipatronado. Aunque este método eleva los costes y la complejidad de producción, no logró evitar que la producción se detuviera.

El hecho de que el plazo de suministro de los equipos de fabricación de chips en el mercado mundial llegara hasta 24 meses había beneficiado en el pasado a las empresas nacionales de equipos y había duplicado los ingresos de los fabricantes chinos que operan en los ámbitos del estratificado y el grabado. No obstante, este cuello de botella tecnológico en el campo de la litografía limita la posibilidad de que China cubra el 100% de la demanda con recursos nacionales en el marco de su objetivo para 2035.

Fuente: Kantan.News · Compilado por el editor Altay Tuna Emir.