Мощности отечественных литейных производств быстро растут
В последнем анализе американского инвестиционного банка Goldman Sachs говорится, что Китай намерен в течение следующих 10 лет значительно сократить дефицит предложения на рынке передовых полупроводников. Благодаря быстрому наращиванию производства отечественными литейными предприятиями ожидается, что в период с 2025 по 2035 год предложение кремниевых пластин, изготовленных по передовым техпроцессам 7 нанометров и менее, будет расти в среднем на 46 % в год. При этом прогнозируется, что ожидаемый за тот же период рост внутреннего спроса на уровне 17 % будет заметно отставать от увеличения предложения.
Ожидается, что такое ускорение производства сократит дефицит предложения передовых чипов на внутреннем рынке Китая. Ожидается, что разрыв между внутренним предложением и спросом, составлявший 92 % в 2025 году, к 2035 году снизится до 34 %. Данные банка показывают, что предложение кремниевых пластин для передовых технологических узлов в Китае вырастет до 410 000 единиц в месяц, тогда как общий ежемесячный спрос в стране составит 619 000 единиц.
SMIC ускоряет инвестиции в производственные мощности
Основным источником прогнозируемого значительного увеличения предложения станут агрессивное расширение производственных объектов и рост эффективности крупнейшего китайского литейного производителя SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corp). Стремясь удовлетворить растущий спрос на оборудование для искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, компания продолжает непрерывно инвестировать в литейное производство. На фоне спроса на чипы для искусственного интеллекта в отрасли SMIC сосредоточилась на увеличении объёмов производства за счёт расширения мощностей своих предприятий и увеличении сроков выполнения заказов.
В прогнозной модели Goldman Sachs оценивается, что SMIC будет ежегодно добавлять к мощностям по производству чипов на передовых техпроцессах от 30 000 до 50 000 новых кремниевых пластин в месяц в период с 2026 по 2031 год. После 2031 года, как ожидается, до 2035 года ежемесячная мощность будет ежегодно увеличиваться еще на 20 000 единиц. В модели также предполагается, что коэффициент выхода годных изделий (yield) SMIC, составляющий 23% в 2026 году, вырастет до 50% в 2030 году и до 75% в 2035 году.
Для сравнения, крупнейшая в мире контрактная фабрика TSMC в 2018 году перешла к массовому производству 7-нанометровых чипов и может достигать коэффициента выхода годных изделий свыше 90% в зависимости от дизайна чипа.
Нехватка литографического оборудования препятствует полной независимости
Несмотря на значительный рост объемов внутреннего производства, ограничения доступа к литографическим установкам по-прежнему остаются главным препятствием на пути к достижению полной независимости полупроводниковой отрасли Китая. Не имеющие доступа к установкам экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV) из-за экспортных ограничений, введенных США и их союзниками, китайские производители используют мощности установок глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV) на пределе возможностей с помощью технологий многократного формирования рисунка. Хотя этот метод повышает производственные затраты и сложность, он не позволил предотвратить остановку производства.
Увеличение сроков поставки оборудования для производства чипов на мировом рынке до 24 месяцев в прошлом пошло на пользу отечественным компаниям, занимающимся производством оборудования, и позволило китайским производителям, работающим в сферах послойного нанесения и травления, многократно увеличить свои доходы. Вместе с тем это технологическое узкое место в области литографии ограничивает вероятность того, что в рамках цели Китая на 2035 год 100% спроса будет удовлетворяться за счет отечественных возможностей.