Le fabricant de semi-conducteurs Intel a dévoilé les premiers résultats concrets de performance de sa technologie de fabrication Intel 18A-P, qui sera utilisée dans les architectures de processeurs de nouvelle génération. Selon les informations techniques présentées lors de l’événement Hot Chips, l’entreprise a augmenté de 30 % la fréquence de fonctionnement de puces en silicium au stade de la production en série, sous une basse tension de 0,5 volt. Lors d’une comparaison directe avec des processeurs FinFET dotés d’une architecture similaire, l’utilisation conjointe de RibbonFET (GAA), basé sur RibbonFET, et de l’alimentation électrique par l’arrière PowerVia a également permis d’obtenir des gains de performance à deux chiffres à des niveaux de tension élevés.
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Architecture de transistors avancée et structure à faible résistance
Par rapport à l’architecture Intel 18A de base, le procédé Intel 18A-P offre une amélioration des performances de plus de 9 % à consommation électrique équivalente, ou une économie d’énergie de plus de 18 % à niveau de performance équivalent. La technologie Power Boost intégrée à la plateforme crée des connexions à ultra-faible résistance grâce à une architecture spéciale à double contact.
Cette structure permet de réduire de 20 % la résistance externe des composants NMOS et de 12 % celle des composants PMOS.
Le procédé comprend également des innovations destinées à résoudre les problèmes de chauffe sur la puce. Alors que la conductivité thermique entre les couches est augmentée de 50 %, une amélioration de 20 à 40 % de la résistance thermique totale du boîtier du processeur est obtenue. Cela contribue ainsi à maintenir la stabilité de la fréquence sous forte charge.
Couches métalliques et feuille de route à venir
Deux couches métalliques épaisses supplémentaires ont été intégrées à la conception de la puce afin de réduire les latences des interconnexions et la congestion des lignes. Le câblage à faible résistance, positionné dans la partie supérieure de l’empilement métallique, offre une hausse de fréquence de 3 % à une tension de 1,1 Volt et une économie d’énergie de 2 % à 0,65 Volt. La société poursuit également ses travaux sur les interconnexions en ruthénium à cavités d’air et les techniques d’empilement vertical de la logique.
Les architectures Diamond Rapids et Nova Lake sur la chaîne de production
Les premiers résultats du procédé de fabrication Intel 18A-P apparaîtront sur les processeurs phares des segments des centres de données et grand public.
Dans le segment des serveurs de la société, les processeurs Intel Xeon 7 Diamond Rapids, qui se distinguent par une architecture évolutive jusqu’à 256 cœurs, bénéficieront directement des avantages offerts par cette architecture. Le placement des unités d’interconnexion au centre du boîtier permettra un accès mémoire équitable à tous les cœurs.
La famille de processeurs Intel Nova Lake, qui sera utilisée sur les plateformes de bureau et mobiles, fera bénéficier les utilisateurs des gains de fréquence et d’efficacité énergétique offerts par le nouveau nœud de fabrication. Il a été indiqué que les deux plateformes progressaient conformément au calendrier dans leur processus de production en série.