半导体制造商 Intel 公布了用于下一代处理器架构的 Intel 18A-P 制造技术的首批具体性能结果。根据 Hot Chips 活动上公布的技术信息，该公司在处于量产阶段的硅芯片上，将0.5伏特低电压下的工作频率提高了30%。在与采用类似架构的 FinFET 处理器进行直接对比时，将基于 RibbonFET 的 RibbonFET (GAA) 与背面供电（PowerVia）结合使用后，即使在高电压水平下也取得了两位数的性能提升。
Kantan Video · 画面：Intel / YouTube
先进的晶体管架构与低电阻结构
与基础 Intel 18A 架构相比，Intel 18A-P 工艺在相同功耗下可实现超过9%的性能提升，或在相同性能水平下节省超过18%的功耗。平台中的 Power Boost 技术则通过一种特殊的双触点架构，形成超低电阻连接。
凭借这一结构，NMOS 元件的外部电阻降低了20%，PMOS 元件的外部电阻则降低了12%。
该工艺还包含旨在解决芯片发热问题的创新设计。层间热导率提高了50%，处理器封装的总热阻则改善了20%至40%。这有助于在高负载下保持频率稳定性。
金属层与未来路线图
为降低连接延迟和线路拥堵，芯片设计中加入了两层额外的粗金属层。位于金属堆叠上部的低电阻布线，在1.1伏特电压下可实现3%的频率提升，并在0.65伏特电压下节省2%的功耗。该公司还在持续推进对带气隙的钌连接和垂直逻辑堆叠技术的研究。
Diamond Rapids 与 Nova Lake 架构按计划推进
Intel 18A-P 制造工艺的初步成果，将在数据中心和消费级市场的旗舰处理器中展现。
在该公司的服务器业务中，Intel Xeon 7 Diamond Rapids 处理器凭借最高扩展至256个核心的架构，将直接受益于这一架构带来的优势。通过将连接单元置于封装中心，可为所有核心提供均等的内存访问。
面向台式机和移动平台的 Intel Nova Lake 处理器系列，则将把新制造节点带来的频率和功耗效率提升带给用户。据悉，这两个平台的量产进程均按计划推进。