[Dr. Semiconductor], yarı iletken üretim çalışmasını baskılı devre kartına bağlanabilen işlevsel çiplere taşıdı. Opak silikon wafer altındaki temas noktalarını PCB ile hizalamanın zorluğu nedeniyle deneme için şeffaf LED çipleri üretti. Başlangıç malzemesi; safir taban üzerinde n-katkılı GaN, indiyum galyum nitrür kuantum kuyusu ve p-katkılı GaN katmanlarından oluşan bir GaN LED epiwafer oldu. Akım verildiğinde elektron ve deliklerin kuantum kuyusunda birleşmesi mavi ışık üretti.
n-tipi temas için p-tipi ve kuantum kuyusu katmanlarını aşması gereken [Dr. Semiconductor], klorlu reaktif iyon aşındırma yerine 355-nm morötesi lazer kullandı; lazer GaN’ı galyum ve nitrojene ayırdı, kesim potasyum hidroksitle temizlendi. Fotorezist maske ve püskürtme haznesinde nikel, gümüş ve titanyum kaplayarak temasları oluşturdu. Akım uygulanan LED parlak mavi yandı.
Wafer lazerle tekil çiplere ayrıldı. PCB’ye indiyum çıkıntılar elektrokaplandı; reçine akısı eklenip indiyum eritilerek çip lehimlendi ve karttan çalıştırıldı. Beyaz ışık için seryum katkılı itriyum alüminyum garnet fosforu şeffaf silikonla karıştırılıp LED’e sürüldü; emilen mavi ışığın bir bölümü sarıya çevrilerek gözün beyaz algıladığı karışım elde edildi.